STO68N65DM6

STMicroelectronics

STO68N65DM6

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

N-CHANNEL 650 V, 53 MOHM TYP., 5

В производстве8-PowerSFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 27.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3528 pF @ 100 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4.75V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C55A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность240W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerSFN
Корпус производителяTOLL (HV)

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)