STO67N60M6

STMicroelectronics

STO67N60M6

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 600V 34A TOLL

В производстве8-PowerSFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs54mOhm @ 26A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs72.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3400 pF @ 100 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияMDmesh™ M6
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4.75V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C34A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность150W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerSFN
Корпус производителяTOLL (HV)

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)