STN2NE10L

STMicroelectronics

STN2NE10L

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT-223

УстаревшийTO-261-4, TO-261AAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs400mOhm @ 1A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds345 pF @ 25 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияSTripFET™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.8A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность2.5W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
Корпус производителяSOT-223

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)