STLD200N4F6AG

STMicroelectronics

STLD200N4F6AG

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT

В производстве8-PowerWDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5mOhm @ 75A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds10700 pF @ 10 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияSTripFET™ F6
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность158W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101