STL8N6LF3

STMicroelectronics

STL8N6LF3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 60V 20A POWERFLAT

Устаревший8-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 4A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds668 pF @ 25 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR)
Статус позицииУстаревший
СерияSTripFET™ F3
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность65W (Tc)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101