STL8N65M5

STMicroelectronics

STL8N65M5

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 650V 7A POWERFLAT

Устаревший14-PowerVQFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs600mOhm @ 3.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds690 pF @ 100 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияMDmesh™ V
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.4A (Ta), 7A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность2.5W (Ta), 70W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case14-PowerVQFN
Корпус производителяPowerFLAT™ (5x5)

Среда

Рабочая температура150°C(TJ)