STL7N60M2

STMicroelectronics

STL7N60M2

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 600V 5A POWERFLAT

В производстве8-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.05Ohm @ 2A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds271 pF @ 100 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияMDmesh™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность4W (Ta), 67W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
Корпус производителяPowerFLAT™ (5x5)

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)