STL6N2VH5

STMicroelectronics

STL6N2VH5

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 20V POWERFLAT

В производстве6-PowerWDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 3A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds550 pF @ 16 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияSTripFET™ V
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id700mV @ 250µA (Min)

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Tj)
Макс. рассеиваемая мощность2.4W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-PowerWDFN
Корпус производителяPowerFlat™ (2x2)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)