STL33N60M6

STMicroelectronics

STL33N60M6

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 600V 21A POWERFLAT HV

В производстве8-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs137mOhm @ 10.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1515 pF @ 100 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияMDmesh™ M6
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4.75V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C21A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность150W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Корпус производителяPowerFlat™ (8x8) HV

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)