STL28N60DM2

STMicroelectronics

STL28N60DM2

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 60V 21A PWRFLAT 8X8

В производствеTape & Reel (TR)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs175mOhm @ 10.5A, 10V
Базовый Part NumberSTL28
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1500 pF @ 100 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияMDmesh™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C21A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность140W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Корпус производителяPowerFlat™ (8x8) HV

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)