STL210N4F7

STMicroelectronics

STL210N4F7

Аналоговые и силовые компоненты

DISCRETE

В производстве8-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6mOhm @ 16A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3600 pF @ 25 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаBulk
Статус позицииВ производстве
СерияSTripFET F7
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность150W (Tc)

Механические

Package / Case8-PowerVDFN
Корпус производителяPowerFlat™ (5x6)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)