STL19N60M2

STMicroelectronics

STL19N60M2

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV

В производстве8-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberSTL19
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds791 pF @ 100 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияMDmesh™ M2
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность90W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Корпус производителяPowerFlat™ (8x8) HV

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)