STL17N65M5

STMicroelectronics

STL17N65M5

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 650V 1.8A POWERFLAT

Устаревший8-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs374mOhm @ 5.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds816 pF @ 100 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияMDmesh™ V
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.8A (Ta), 10A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность2.8W (Ta), 70W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Корпус производителяPowerFlat™ (8x8) HV

Среда

Рабочая температура150°C(TJ)