STL13DP10F6

STMicroelectronics

STL13DP10F6

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2P-CH 100V 13A POWERFLAT

Устаревший8-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs180mOhm @ 1.7A, 10V
Базовый Part NumberSTL13
Конфигурация2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds864pF @ 25V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияDeepGATE™, STripFET™ VI
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A
Power - Max62.5W

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Корпус производителяPowerFlat™ (5x6)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)