STL130N6F7

STMicroelectronics

STL130N6F7

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 60V 130A POWERFLAT

В производстве8-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5mOhm @ 13A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2600 pF @ 25 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияSTripFET™ F7
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C130A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность4.8W (Ta), 125W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Корпус производителяPowerFlat™ (5x6)

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)