STL12N65M2

STMicroelectronics

STL12N65M2

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 650V 5A POWERFLAT HV

Устаревший8-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs750mOhm @ 3A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds410 pF @ 100 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияMDmesh™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность48W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Корпус производителяPowerFlat™ (5x6) HV

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)