STH60N099DM9-2AG

STMicroelectronics

STH60N099DM9-2AG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

В производствеTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs99mOhm @ 13.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2140 pF @ 400 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C27A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность179W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)