STH410N4F7-6AG

STMicroelectronics

STH410N4F7-6AG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6

В производствеTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.1mOhm @ 90A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds11500 pF @ 25 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияSTripFET™ F7
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность365W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101