STH290N4F6-2AG

STMicroelectronics

STH290N4F6-2AG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2

В производствеTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.7mOhm @ 45A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7380 pF @ 25 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q101, STripFET™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C180A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность300W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус производителяH2Pak-2

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)