STGYA120M65DF2

STMicroelectronics

STGYA120M65DF2

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S

В производствеTO-247-3 Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Gate Charge420 nC
IGBT TypeNPT, Trench Field Stop
Тип входаStandard
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)202 ns
СерияM
Switching Energy1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C66ns/185ns
Test Condition400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.95V @ 15V, 120A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)160 A
Current - Collector Pulsed (Icm)360 A
Power - Max625 W

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-247-3 Exposed Pad
Корпус производителяMAX247™

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)