STGWT80H65DFB

STMicroelectronics

STGWT80H65DFB

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L

В производствеTO-3P-3, SC-65-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Gate Charge414 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
Тип входаStandard
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)85 ns
Switching Energy2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C84ns/280ns
Test Condition400V, 80A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 80A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)120 A
Current - Collector Pulsed (Icm)240 A
Power - Max469 W

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-3P-3, SC-65-3
Корпус производителяTO-3P

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)