STGWT60H65DFB

STMicroelectronics

STGWT60H65DFB

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L

В производствеTO-3P-3, SC-65-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Gate Charge306 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
Тип входаStandard
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)60 ns
Switching Energy1.09mJ (on), 626µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C51ns/160ns
Test Condition400V, 60A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 60A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)240 A
Power - Max375 W

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-3P-3, SC-65-3
Корпус производителяTO-3P

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)