Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Gate Charge | 120 nC |
|---|---|
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Тип входа | Standard |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 140 ns |
| Серия | HB |
| Switching Energy | 170µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | -/139ns |
| Test Condition | 400V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 80 A |
| Power - Max | 168 W |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Корпус производителя | TO-3P |
| Рабочая температура | -55°C~175°C(TJ) |
|---|