STGWA80H65DFB

STMicroelectronics

STGWA80H65DFB

Аналоговые и силовые компоненты

IGBT BIPO 650V 80A TO247-3

УстаревшийTO-247-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Gate Charge414 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
Тип входаStandard
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusObsolete
Reverse Recovery Time (trr)85 ns
Switching Energy2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C84ns/280ns
Test Condition400V, 80A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 80A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)120 A
Current - Collector Pulsed (Icm)240 A
Power - Max469 W

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-247-3
Корпус производителяTO-247 Long Leads

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)