STGWA50M65DF2

STMicroelectronics

STGWA50M65DF2

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

В производствеTO-247-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Gate Charge150 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
Тип входаStandard
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)162 ns
СерияM
Switching Energy880µJ (on), 1.57mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C42ns/130ns
Test Condition400V, 50A, 6.8Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 50A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)150 A
Power - Max375 W

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-247-3
Корпус производителяTO-247 Long Leads

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)