STGW75M65DF2

STMicroelectronics

STGW75M65DF2

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

В производствеTO-247-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Gate Charge225 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
Тип входаStandard
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)165 ns
СерияM
Switching Energy690µJ (on), 2.54mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C47ns/125ns
Test Condition400V, 75A, 3.3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 75A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)120 A
Current - Collector Pulsed (Icm)225 A
Power - Max468 W

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-247-3
Корпус производителяTO-247-3

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)