STGW10M65DF2

STMicroelectronics

STGW10M65DF2

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

В производствеTO-247-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Gate Charge28 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
Тип входаStandard
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)96 ns
СерияM
Switching Energy120µJ (on), 270µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C19ns/91ns
Test Condition400V, 10A, 22Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 10A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)40 A
Power - Max115 W

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-247-3
Корпус производителяTO-247-3

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)