STGP30M65DF2

STMicroelectronics

STGP30M65DF2

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IGBT 650V 30A TO-220AB

В производствеTO-220-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Gate Charge80 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
Тип входаStandard
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)140 ns
Switching Energy300µJ (on), 960µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C31.6ns/115ns
Test Condition400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 30A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)120 A
Power - Max258 W

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-220-3
Корпус производителяTO-220

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)