STGB4M65DF2

STMicroelectronics

STGB4M65DF2

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S

В производствеTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Gate Charge15.2 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
Тип входаStandard
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)133 ns
СерияM
Switching Energy40µJ (on), 136µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C12ns/86ns
Test Condition400V, 4A, 47Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 4A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)8 A
Current - Collector Pulsed (Icm)16 A
Power - Max68 W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус производителяD²PAK

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)