STGB30H65DFB2

STMicroelectronics

STGB30H65DFB2

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30

В производствеTO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Gate Charge90 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
Тип входаStandard
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)115 ns
СерияHB2
Switching Energy270µJ (on), 310µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C18.4ns/71ns
Test Condition400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 30A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)90 A
Power - Max167 W

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Корпус производителяD2PAK-3

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)