STGB30H60DFB

STMicroelectronics

STGB30H60DFB

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB

В производствеTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Gate Charge149 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
Тип входаStandard
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)53 ns
Switching Energy383µJ (on), 293µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C37ns/146ns
Test Condition400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 30A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V
Current - Collector (Ic) (Max)60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)120 A
Power - Max260 W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус производителяD²PAK (TO-263)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)