STGB20M65DF2

STMicroelectronics

STGB20M65DF2

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IGBT TRENCH 650V 40A D2PAK

В производствеTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Gate Charge63 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
Тип входаStandard
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)166 ns
СерияM
Switching Energy140µJ (on), 560µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C26ns/108ns
Test Condition400V, 20A, 12Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 20A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)80 A
Power - Max166 W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус производителяD2PAK

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)