STGB15M65DF2

STMicroelectronics

STGB15M65DF2

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

В производствеTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Gate Charge45 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
Тип входаStandard
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)142 ns
Switching Energy90µJ (on), 450µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C24ns/93ns
Test Condition400V, 15A, 12Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 15A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)60 A
Power - Max136 W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус производителяD²PAK (TO-263)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)