STGB10M65DF2

STMicroelectronics

STGB10M65DF2

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IGBT 650V 10A D2PAK

В производствеTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Gate Charge28 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
Тип входаStandard
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)96 ns
Switching Energy120µJ (on), 270µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C19ns/91ns
Test Condition400V, 10A, 22Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 10A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)40 A
Power - Max115 W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус производителяTO-263 (D2PAK)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)