STE110NS20FD

STMicroelectronics

STE110NS20FD

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP

УстаревшийISOTOPАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs504 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7900 pF @ 25 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаChassis Mount
Product StatusObsolete
СерияMESH OVERLAY™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C110A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность500W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseISOTOP
Корпус производителяISOTOP®

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)