STDRIVEG600W

STMicroelectronics

STDRIVEG600W

Аналоговые и силовые компоненты

DISCRETE

В производствеDieАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Channel TypeIndependent
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeN-Channel MOSFET
Тип входаNon-Inverting
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
Number of Drivers2
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)7ns, 5ns

Электрические

Current - Peak Output (Source, Sink)5.5A, 6A
High Side Voltage - Max (Bootstrap)620 V
Logic Voltage - VIL, VIH1.45V, 2V
Напряжение питания4.75V ~ 20V

Механические

КорпусBulk
Package / CaseDie
Корпус производителяWafer

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 125°C (TJ)