Общие
| Channel Type | Independent |
|---|---|
| Driven Configuration | Half-Bridge |
| Gate Type | N-Channel MOSFET |
| Тип входа | Non-Inverting |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Number of Drivers | 2 |
| Product Status | Active |
| Rise / Fall Time (Typ) | 7ns, 5ns |

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Channel Type | Independent |
|---|---|
| Driven Configuration | Half-Bridge |
| Gate Type | N-Channel MOSFET |
| Тип входа | Non-Inverting |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Number of Drivers | 2 |
| Product Status | Active |
| Rise / Fall Time (Typ) | 7ns, 5ns |
| Current - Peak Output (Source, Sink) | 5.5A, 6A |
|---|---|
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 620 V |
| Logic Voltage - VIL, VIH | 1.45V, 2V |
| Напряжение питания | 4.75V ~ 20V |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | Die |
| Корпус производителя | Wafer |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C (TJ) |
|---|