STD95P3LLH6AG

STMicroelectronics

STD95P3LLH6AG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 80A DPAK

В производствеTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs6.9mOhm @ 40A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6250 pF @ 25 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q101, STripFET™ H6
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±18V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность104W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяDPAK

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)