STD6N80K5

STMicroelectronics

STD6N80K5

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 800V 4.5A DPAK

В производствеTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6Ohm @ 2A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds255 pF @ 100 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияSuperMESH5™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 100µA

Электрические

Напряжение сток-исток800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность85W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяDPAK

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)