STD64N4F6AG

STMicroelectronics

STD64N4F6AG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 40V 54A DPAK

В производствеTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.2mOhm @ 27A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2415 pF @ 25 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C54A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность60W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяDPAK

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)