STD5N20LT4

STMicroelectronics

STD5N20LT4

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 200V 5A DPAK

В производствеTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs700mOhm @ 2.5A, 5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds242 pF @ 25 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияSTripFET™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 50µA

Электрические

Напряжение сток-исток200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность33W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяDPAK

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)