STD40P8F6AG

STMicroelectronics

STD40P8F6AG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 80V DPAK

В производствеTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 20A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4112 pF @ 25 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность100W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101