STD3NM60T4

STMicroelectronics

STD3NM60T4

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 600V 3A DPAK

УстаревшийTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 1.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds324 pF @ 25 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияMDmesh™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность42W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяDPAK

Среда

Рабочая температура-65°C ~ 150°C (TJ)