STD3N95K5AG

STMicroelectronics

STD3N95K5AG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 950V 2A DPAK

В производствеTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs5Ohm @ 1A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds105 pF @ 100 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияMDmesh™ K5
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 100µA

Электрические

Напряжение сток-исток950 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность45W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101