Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20.5mOhm @ 18A, 10V |
|---|---|
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2850 pF @ 25 V |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Серия | STripFET™ F6 |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 40 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 60W (Tc) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус производителя | DPAK |
| Рабочая температура | 175°C (TJ) |
|---|