STD28P3LLH6AG

STMicroelectronics

STD28P3LLH6AG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 30V 12A DPAK

УстаревшийTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 6A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1480 pF @ 25 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияAutomotive, AEC-Q101, STripFET™ H6
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±18V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность33W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяDPAK

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)