STD19N3LLH6AG

STMicroelectronics

STD19N3LLH6AG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 10A DPAK

УстаревшийTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs33mOhm @ 5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds321 pF @ 25 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияSTripFET™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность30W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101