STD16N65M5

STMicroelectronics

STD16N65M5

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 650V 12A DPAK

В производствеTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs299mOhm @ 6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1250 pF @ 100 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияMDmesh™ V
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность90W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяDPAK

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)