STB85NS04Z

STMicroelectronics

STB85NS04Z

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 33V 80A D2PAK

УстаревшийTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs15mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2500 pF @ 25 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияSAFeFET™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±18V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток33 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность215W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус производителяD2PAK

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)