Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 40A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5500 pF @ 25 V |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Статус позиции | Устаревший |
| Серия | STripFET™ II |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 30 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 300W (Tc) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA |
|---|---|
| Корпус производителя | I2PAK |
| Рабочая температура | -60°C ~ 175°C (TJ) |
|---|