STB40N60M2

STMicroelectronics

STB40N60M2

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK

В производствеTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs88mOhm @ 17A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2500 pF @ 100 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияMDmesh™ II Plus
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C34A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность250W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус производителяD²PAK (TO-263)

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)